EPC2019

功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

制造商:epc

系列:eGaN?

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 7A、5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 100V

功率 - 最大值:-

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:模具

供应商器件封装:模具

标准包装:1

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